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【2h】

Double subband occupation of the two-dimensional electron gas in InxAl1− xN/AlN/\ud GaN/AlN heterostructures with a low indium content (0.064≤x≤0.140) barrier

机译：InxAl1-xN / AlN / \ ud中二维电子气的双子带占据铟含量低（0.064≤x≤0.140）的GaN / AlN异质结构

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Lisesivdin, S. B.; Tasli, P.; Kasap, M.; Ozturk, M.; Arslan, E.; Ozcelik, S.; Ozbay, E.;
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作者单位

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年度 2010
总页数
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正文语种 en_US
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